PanoramicaQuesto MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale dispone di una struttura di dissipazione sul lato superiore, con la superficie termica posta sulla parte superiore del package; consente il montaggio automatico mantenendo prestazioni termiche comparabili ai package through‑hole. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM assicura una distanza di fuga di 6,66 mm, supportando picchi AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza di conduzione e commutazione veloce per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV, inverter fotovoltaici e alimentatori per server.
Informazioni sul pezzo / Imballaggio- Numero parte: SCT4090KTWTCR
- Stato: Raccomandato
- Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
- Tipo di imballo: Taping
- Quantità unità: 600 / bobina
- Quantità minima per confezione: 600
- RoHS: Sì
- MSL: 1
Caratteristiche- Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (struttura scanalata ROHM)
- Bassa resistenza ON (Rds(on) typ. 90 mΩ)
- Elevata velocità di commutazione, riduzione delle perdite di commutazione
- Recupero inverso rapido
- Facile in parallelo
- Semplice pilotaggio
- Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS
Specifiche tecniche- Modello: SCT4090KTWTCR
- Tensione drain‑source (Vdss): 1200 V
- Resistenza drain‑source in conduzione (Rds(on)) (Typ.): 90 mΩ
- Generazione: 4th Gen (Trench)
- Corrente drain (Id): 18 A
- Potenza dissipabile totale (Pd): 81 W
- Temperatura giunzione (Tj max): 175 °C
- Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
- Dimensioni package: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
- Tipo di package: SMD 9 pin (TSC3PAK) con dissipazione superiore
- Distanza di fuga: 6,66 mm (supporta AC peak 1200 V in grado di inquinamento 2)
Applicazioni tipiche- xEV: caricabatterie di bordo, compressori elettrici
- Inverter fotovoltaici
- Alimentatori per server e telecomunicazioni