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MOSFET resistenza alta tensione SCT4090KTW
ad alta velocitàSiCper applicazioni automobilistiche

MOSFET resistenza alta tensione - SCT4090KTW - ROHM Semiconductor - ad alta velocità / SiC / per applicazioni automobilistiche
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Caratteristiche

Specificazioni
resistenza alta tensione, ad alta velocità, SiC, per applicazioni automobilistiche
Materiale
in carburo di silicio

Descrizione

Panoramica
Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale dispone di una struttura di dissipazione sul lato superiore, con la superficie termica posta sulla parte superiore del package; consente il montaggio automatico mantenendo prestazioni termiche comparabili ai package through‑hole. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM assicura una distanza di fuga di 6,66 mm, supportando picchi AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza di conduzione e commutazione veloce per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV, inverter fotovoltaici e alimentatori per server.

Informazioni sul pezzo / Imballaggio
  • Numero parte: SCT4090KTWTCR
  • Stato: Raccomandato
  • Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
  • Tipo di imballo: Taping
  • Quantità unità: 600 / bobina
  • Quantità minima per confezione: 600
  • RoHS: Sì
  • MSL: 1


Caratteristiche
  • Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (struttura scanalata ROHM)
  • Bassa resistenza ON (Rds(on) typ. 90 mΩ)
  • Elevata velocità di commutazione, riduzione delle perdite di commutazione
  • Recupero inverso rapido
  • Facile in parallelo
  • Semplice pilotaggio
  • Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS


Specifiche tecniche
  • Modello: SCT4090KTWTCR
  • Tensione drain‑source (Vdss): 1200 V
  • Resistenza drain‑source in conduzione (Rds(on)) (Typ.): 90 mΩ
  • Generazione: 4th Gen (Trench)
  • Corrente drain (Id): 18 A
  • Potenza dissipabile totale (Pd): 81 W
  • Temperatura giunzione (Tj max): 175 °C
  • Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
  • Dimensioni package: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
  • Tipo di package: SMD 9 pin (TSC3PAK) con dissipazione superiore
  • Distanza di fuga: 6,66 mm (supporta AC peak 1200 V in grado di inquinamento 2)


Applicazioni tipiche
  • xEV: caricabatterie di bordo, compressori elettrici
  • Inverter fotovoltaici
  • Alimentatori per server e telecomunicazioni

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electronica Munich 2026
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