MOSFET resistenza alta tensione SCT4062KTW

ad alta velocitàper applicazioni automobilisticheSiC

Panoramica
Questo MOSFET SiC è fornito nel package TSC3PAK per montaggio superficiale, con superficie di dissipazione termica superiore e una scanalatura proprietaria che garantisce una distanza di fuga di 6,66 mm. Il dispositivo supporta un picco di tensione AC di 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2, offre bassa resistenza di conduzione e commutazione ad alta velocità, ed è destinato a conversioni di potenza ad alta efficienza in applicazioni industriali.

Caratteristiche principali

• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza drain-source in conduzione (Tip. 62 mΩ)
• Commutazione rapida e recovery inverso veloce
• Semplice da parallellare e da pilotare
• Dissipazione superiore compatibile con SMT automatizzato
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Package e dissipazione
Il package TSC3PAK per SMT con dissipazione superiore offre prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole convenzionali (classe TO-247) e consente l'assemblaggio SMT automatizzato. La struttura a scanalatura migliora la distanza di fuga e l'affidabilità dell'isolamento nei sistemi ad alta tensione.

Applicazioni

• Caricabatterie a bordo (OBC) e compressori elettrici per xEV (vedere la nota sull'uso automotive)
• Inverter fotovoltaici e convertitori di energie rinnovabili
• Alimentatori per server e apparecchiature industriali ad alta efficienza

Informazioni aggiuntive
Appartiene alla 4ª generazione di MOSFET SiC (Trench) di ROHM, che offre basso Rds(on) e commutazione rapida per ridurre le perdite di commutazione. Nota importante: questo prodotto è di GRADO STANDARD e non è raccomandato per applicazioni automotive critiche.

Specifiche tecniche

• Codice parte: SCT4062KTWTCR
• Nome commerciale: SCT4062KTW
• Stato: Raccomandato
• Package: TSC3PAK
• Tipo di imballo: Taping
• Quantità per bobina: 600
• Quantità minima per package: 600
• RoHS: Sì
• MSL: 1
• Tensione Drain-Source (V): 1200 V
• Resistenza ON Drain-Source (Tip.): 62 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 25 A
• Potenza dissipabile totale (W): 106 W
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175 °C
• Intervallo di temperatura di stoccaggio (°C): -40 a 175
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)