MOSFET resistenza alta tensione SCT4050KTW

ad alta velocitàin carburo di silicioSiC

Panoramica del prodotto
Dispositivo MOSFET in carburo di silicio (SiC) 1200 V, 31 A, modello SCT4050KTW, in package TSC3PAK per montaggio superficiale. Il package adotta dissipazione termica sulla parte superiore per offrire prestazioni termiche comparabili ai package a foro passante, consentendo al contempo l'assemblaggio automatico SMD. Una scanalatura proprietaria garantisce una distanza di fuga ampia (min. 6,66 mm), supportando picchi AC di 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo presenta bassa RDS(on) e commutazione rapida per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza di conversione dell'energia.

Package e immagini
Package: TSC3PAK (SMD, dissipazione sulla parte superiore). Adatto per posizionamento automatico; prestazioni termiche vicine ai package a foro passante mantenendo un footprint SMD compatto.

Caratteristiche

• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza di conduzione Drain-Source (RDS(on) tip. 50 mΩ)
• Commutazione rapida
• Recupero inverso veloce
• Facile parallelizzazione per correnti maggiori
• Requisiti di pilotaggio semplici
• Placcatura senza Pb; conforme RoHS

Esempi di applicazione

• Caricabatterie di bordo (OBC) e compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici
• Alimentatori per server e apparecchiature industriali ad alta efficienza

Specifiche del pezzo (riassunto)
Numero parte | SCT4050KTWTCR
Stato | Raccomandato
Package | TSC3PAK
Tipo di imballo | Taping
Quantità unità | 600
Quantità minima per confezione | 600
RoHS | Sì
MSL | 1

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Modello: SCT4050KTW
• Tensione Drain-Source (VDS): 1200 V
• Resistenza di conduzione Drain-Source (Tip.): 50 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (ID): 31 A
• Potenza dissipabile totale: 128 W
• Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
• Intervallo temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Tipo di package: TSC3PAK (dissipazione sulla parte superiore)