MOSFET resistenza alta tensione SCT4020DTWHR

ad alta velocitàper applicazioni automobilisticheSiC

Panoramica
Si tratta di un MOSFET SiC nel package TSC3PAK con struttura di dissipazione termica sulla parte superiore. Il TSC3PAK raggiunge prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole tradizionali mantenendo la compatibilità per l'assemblaggio SMT automatizzato. La struttura a scanalatura di ROHM garantisce una distanza di fuga minima di 6,66 mm, consentendo il supporto di picchi AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre bassa resistenza di conduzione e commutazione veloce per ridurre le perdite nei circuiti di conversione di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo (OBC) e compressori elettrici per xEV, inverter PV e alimentatori per server.

Package e meccanica
Package: TSC3PAK (dissipazione superiore). Dimensioni riportate: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625) e talvolta indicate come 14,00 × 18,58 × 3,50 mm. Il design termico superiore consente l'assemblaggio SMT avvicinandosi alle prestazioni termiche dei package through-hole.

Caratteristiche

• Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (scanalatura ROHM)
• Bassa resistenza Drain-Source in conduzione (typ. 20 mΩ)
• Commutazione veloce e recupero inverso rapido
• Facile parallellizzazione e semplice da pilotare
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Identificatori prodotto e imballaggio
Codice(i) parte: SCT4020DTWHR (prodotto) / SCT4020DTWHRTCR (dettagli parte). Stato: Raccomandato. Tipo di imballo: Taping. Quantità per nastro/rotolo: 600. Quantità minima per confezione: 600. RoHS: Sì. MSL: 1.

Informazioni di supporto (sintesi)
Datasheet, note applicative, guide di progettazione termica e modelli di simulazione (SPICE, PLECS, PSIM) disponibili per la famiglia di prodotti e il package TSC3PAK. La documentazione include dati sulle prestazioni termiche, linee guida per il gate drive, raccomandazioni sullo snubber, contromisure per oscillazioni in parallelo e metodi di misura termica.

Specifiche tecniche

• Numero di parte (pagina): SCT4020DTWHRTCR
• Modello: SCT4020DTWHR
• Tensione Drain-Source (V): 750 V
• Resistenza Drain-Source in conduzione (Typ.) [mΩ]: 20 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain [A]: 69 A
• Potenza dissipabile totale [W]: 208 W
• Temperatura giunzione (Max.) [°C]: 175 °C
• Temperatura di stoccaggio [°C]: -40 a 175
• Dimensioni package [mm]: 14,0 × 18,58 (t = 3,625) (TSC3PAK)
• Distanza di fuga: min. 6,66 mm (scanalatura ROHM)
• Supporto picco AC in grado di inquinamento 2: fino a 1200 V
• Standard: AEC-Q101 (grado automotive)
• Imballo: Taping; Quantità per rotolo: 600; Quantità minima: 600
• RoHS: Sì; MSL: 1