MOSFET in carburo di silicio SCT4045DTWHR

per applicazioni automobilisticheresistenza alta tensionead alta velocità

Panoramica del prodotto
Questo MOSFET SiC nel package TSC3PAK presenta una superficie di dissipazione termica sul lato superiore che garantisce prestazioni di dissipazione paragonabili ai package a foro passante, mantenendo la compatibilità per il montaggio superficiale. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM assicura una distanza di fuga di 6,66 mm, consentendo la gestione di picchi AC fino a 1200 V in ambienti Pollution Degree 2. Il dispositivo offre basso RDS(on) e commutazione ad alta velocità per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza nelle conversioni di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo per xEV, compressori elettrici, inverter fotovoltaici e alimentatori per server.

Esempi di applicazione

• Automotive: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici
• Industria / Energia: inverter PV, alimentatori server

Caratteristiche

• Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (supporta 1200 V AC picco in Pollution Degree 2)
• Bassa resistenza allo stato acceso (RDS(on) tip. 45 mΩ)
• Commutazione rapida e rapido recupero inverso
• Facile in parallelo e semplice da pilotare
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Specifiche del componente
Numero parte | SCT4045DTWHRTCR
Stato | Raccomandato
Package | TSC3PAK
Tipo di imballo | Taping
Quantità unità | 600
Quantità minima per package | 600
RoHS | Sì
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Tensione drain-source (Vds): 750 V
• Resistenza allo stato acceso (tip.) RDS(on): 45 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente drain (Id): 33 A
• Potenza dissipabile totale: 106 W
• Temperatura giunzione (max.): 175 °C
• Temperatura immagazzinamento (min.): -40 °C
• Temperatura immagazzinamento (max.): 175 °C
• Dimensione package: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Standard comune: AEC-Q101 (grado automotive)