MOSFET per applicazioni automobilistiche SCT4018KTWHR

resistenza alta tensionead alta velocitàSiC

Panoramica Questo prodotto è un MOSFET in SiC nel contenitore TSC3PAK. Grazie all’adozione di una struttura di dissipazione del calore “top-side”, che posiziona la superficie di dissipazione sulla parte superiore del contenitore, il prodotto consente il montaggio automatizzato, garantendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali contenitori a foro passante. La struttura a scanalature proprietaria di ROHM garantisce una distanza di dispersione di 6,66 mm, consentendo di sopportare una tensione di picco CA di 1200 V in ambienti con grado di inquinamento 2. Il dispositivo offre una bassa resistenza allo stato conduttivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l’efficienza e l’affidabilità nei circuiti di conversione di potenza per caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici per veicoli elettrici (xEV), inverter fotovoltaici e alimentatori per server. Caratteristiche principali

• Conforme alla norma AEC-Q101 (grado automobilistico)
• Confezione: TSC3PAK con dissipazione del calore sul lato superiore
• Ampia distanza di dispersione: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza allo stato attivo (RDS(on) tipica: 18 mΩ)
• Elevata velocità di commutazione e rapido recupero inverso
• Facile da collegare in parallelo
• Semplice da pilotare
• Placcatura dei terminali senza piombo; Conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni Caricabatterie di bordo (OBC) e compressori elettrici nei veicoli xEV; inverter fotovoltaici; alimentatori per server ad alte prestazioni e altre apparecchiature di conversione di potenza ad alta tensione. Informazioni sul componente Codice articolo | SCT4018KTWHRTCR Stato | Raccomandato Confezione | TSC3PAK Tipo di imballaggio | Su nastro Quantità per unità | 600 Quantità minima per confezione | 600 RoHS | Sì MSL | 1 Specifiche (selezionate) Tensione drain-source [V] : 1200 Resistenza drain-source in stato attivo (tipica) [mΩ] : 18 Generazione : 4ª generazione (Trench) Corrente di drain [A] : 79 Dissipazione di potenza totale [W] : 294 Temperatura di giunzione (max.) [°C] : 175 Temperatura di stoccaggio (min.) [°C] : -40 Temperatura di stoccaggio (max.) [°C]: 175 Dimensioni del contenitore [mm]: 14,0 x 18,58 (t=3,625) Standard di riferimento: AEC-Q101 (grado automobilistico) Caratteristiche (dettagliate)

• Struttura di dissipazione del calore sul lato superiore nel contenitore per montaggio superficiale che garantisce una dissipazione del calore paragonabile a quella dei contenitori a foro passante (ad es. equivalenti al TO-247)
• Scanalatura proprietaria del contenitore che consente un’ampia distanza di dispersione per un design isolante ad alta tensione
• Tecnologia MOSFET SiC di quarta generazione ROHM: bassa resistenza allo stato conduttivo e perdite di commutazione ridotte
• Progettato per il montaggio automatizzato pur mantenendo elevate prestazioni termiche

caratteristiche / specifiche tecniche

• Codice articolo (pagina del prodotto): SCT4018KTWHRTCR (indicato anche come SCT4018KTWHR)
• Tipo di dispositivo: MOSFET al carburo di silicio (SiC)
• Confezione: TSC3PAK (montaggio superficiale, dissipazione termica sul lato superiore)
• VDSS (tensione drain-source): 1200 V
• RDS(on) (tipico): 18 mΩ
• Corrente di drain nominale: 79 A
• Dissipazione di potenza totale: 294 W
• Temperatura massima di giunzione: 175 °C
• Temperatura di stoccaggio: da -40 °C a 175 °C
• Dimensioni del contenitore: 14,0 x 18,58 mm (spessore 3,625 mm)
• Distanza di dispersione: min. 6,66 mm (supporta un picco CA di 1200 V nel grado di inquinamento 2)
• Generazione / struttura: 4ª generazione (Trench)
• Conformità / qualità: AEC-Q101 (grado automobilistico), conforme alla direttiva RoHS
• Confezionamento: su nastro; quantità per bobina: 600; quantità minima per confezione: 600