MOSFET in carburo di silicio SCT4045DTW

per applicazioni automobilisticheresistenza alta tensioneSiC

Panoramica
Questo MOSFET SiC (modello SCT4045DTW) è fornito nel package TSC3PAK per montaggio superficiale con struttura di dissipazione termica sulla parte superiore, consentendo montaggio automatico e prestazioni di dissipazione comparabili ai package through-hole tradizionali. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di fuga minima di 6,66 mm, supportando picchi di tensione AC fino a 1200 V in ambienti con grado di contaminazione 2. Il dispositivo integra la 4ª generazione di SiC MOSFET ROHM per ottenere basso RDS(on) e commutazione ad alta velocità, migliorando l'efficienza delle conversioni di potenza.

Caratteristiche principali

• Struttura di dissipazione superiore per package SMD con prestazioni termiche comparabili ai tipi through-hole
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (supporta 1200 V picco AC in grado di inquinamento 2)
• Bassa resistenza on drain-source (RDS(on))
• Commutazione ad alta velocità
• Recupero inverso rapido
• Facile funzionamento in parallelo
• Requisiti di pilotaggio semplici
• Placcatura dei terminali senza Pb; conforme RoHS

Esempi di applicazione

• Caricabatterie onboard (OBC) e compressori elettrici in xEV
• Inverter fotovoltaici
• Alimentatori per server e apparecchiature industriali ad alta efficienza

Informazioni su package e riferimento

• Part number confezionato: SCT4045DTWTCR
• Package: TSC3PAK (surface-mount)
• Tipo di confezionamento: Taping
• Quantità per confezione: 600
• Quantità minima confezione: 600
• RoHS: Sì
• MSL: 1

Specifiche tecniche

• Modello (nome commerciale): SCT4045DTW
• Tensione drain-source (VDS): 750 V
• Resistenza on drain-source (typ.) RDS(on): 45 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (ID): 33 A
• Potenza dissipabile totale: 106 W
• Temperatura giunzione max: 175 °C
• Intervallo temperatura di stoccaggio: -40 a 175 °C
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)

Risorse per il progetto

• Modelli SPICE/PLECS/PSIM, note d'applicazione e documentazione termica/di package disponibili per supportare la progettazione termica, il parallelo e la validazione del pilotaggio