MOSFET in carburo di silicio SCT4026DTWHR

resistenza alta tensioneper applicazioni automobilisticheSiC

Panoramica del prodotto
Questo dispositivo è un MOSFET SiC in package TSC3PAK con struttura di dissipazione superiore. Posizionando la superficie di dissipazione termica sulla parte superiore del package, il TSC3PAK raggiunge prestazioni termiche comparabili ai package a foro passante tradizionali, pur essendo adatto al montaggio superficiale. Una struttura a scanalatura proprietaria garantisce una distanza di fuga di 6,66 mm, supportando fino a 1200 V picco AC in ambienti di inquinamento di grado 2. La tecnologia SiC Trench di quarta generazione offre bassa RDS(on) e commutazione rapida per migliorare l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza.

Caratteristiche

• Qualificato AEC-Q101 (grado automotive)
• Elevata distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza in conduzione (RDS(on), tip. 26 mΩ)
• Caratteristiche di commutazione rapide
• Recupero inverso rapido
• Facile da parallellare
• Semplice da pilotare
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Package / dissipazione termica / affidabilità
Il package TSC3PAK con design di dissipazione superiore consente il montaggio superficiale fornendo al contempo una dissipazione termica comparabile ai package through-hole. La struttura a scanalatura assicura una distanza di fuga di 6,66 mm e supporta 1200 V picco AC in condizioni di inquinamento di grado 2, permettendo un progetto di isolamento più sicuro e una maggiore affidabilità per applicazioni ad alta tensione.

Applicazioni consigliate

• Caricatori di bordo (OBC) per xEV
• Compressori elettrici (E-Comp) in xEV
• Inverter fotovoltaici (PV)
• Alimentatori server / PSU per data center

Caratteristiche / Specifiche tecniche

• Numero di parte: SCT4026DTWHRTCR
• Stato: Raccomandato
• Package: TSC3PAK
• Confezionamento: Taping
• Unità per bobina: 600
• Quantità minima d'ordine: 600
• RoHS: Sì
• MSL: 1
• Tensione drain-source (V): 750 V
• Resistenza in conduzione drain-source (Typ.) (mΩ): 26 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente drain (A): 54 A
• Potenza dissipabile totale (W): 163 W
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura di immagazzinamento (Min./Max.) (°C): -40 / 175 °C
• Dimensioni package [mm]: 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Distanza di fuga: min. 6,66 mm (struttura a scanalatura)
• Standard comune: AEC-Q101 (Automotive Grade)