MOSFET in carburo di silicio SCT4018KTW

SiCper applicazioni automobilisticheresistenza alta tensione

Panoramica
Questo prodotto è un MOSFET SiC in package TSC3PAK. Adottando una struttura di dissipazione termica sulla parte superiore che posiziona la superficie di dissipazione sul lato superiore del package, il prodotto consente il montaggio automatico ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione paragonabili ai package tradizionali forati. Il package incorpora la struttura a scanalatura proprietaria di ROHM per garantire una distanza di fuga di 6,66 mm, consentendo di supportare un picco di tensione AC di 1200 V in un ambiente di Grado di Inquinamento 2 mantenendo la compatibilità con i prodotti diffusi sul mercato. Il dispositivo integra il MOSFET SiC di 4ª generazione di ROHM, ottenendo bassa resistenza di conduzione e caratteristiche di commutazione ad alta velocità che riducono le perdite di commutazione nelle conversioni di potenza e contribuiscono a una maggiore efficienza e a un minore consumo energetico.

Package / Approccio tecnico
Package SMD TSC3PAK con dissipazione termica superiore; struttura a scanalatura per garantire ampia distanza di fuga (min. 6,66 mm) che permette di supportare un picco di tensione AC di 1200 V in ambienti di Grado di Inquinamento 2. Progettato per combinare le prestazioni di dissipazione dei package forati con i vantaggi del montaggio automatico.

Caratteristiche

• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza RDS(on) (Typ. 18 mΩ)
• Alta velocità di commutazione
• Recupero inverso rapido
• Facile da collegare in parallelo
• Semplice da pilotare
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Esempi di applicazione

• Caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici (PV)
• Alimentatori per server
• Apparecchiature industriali che richiedono conversione di potenza ad alta efficienza

Specifiche tecniche

• Part Number: SCT4018KTWTCR
• Modello: SCT4018KTW
• Tensione drain-source (V): 1200
• Resistenza drain-source in conduzione (Typ.) (mΩ): 18
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 79
• Potenza dissipabile totale (W): 294
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175
• Temperatura di immagazzinamento (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Tipo di imballo: Taping
• Quantità unità: 600
• Quantità minima per package: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1