MOSFET SiC SCT4090KTWHR

in carburo di silicioSiCin carburo di silicio

Panoramica
Il SCT4090KTWHR è un MOSFET SiC nel package TSC3PAK per montaggio superficiale con dissipazione del calore sulla parte superiore. Il TSC3PAK offre prestazioni di dissipazione paragonabili ai package through-hole della classe TO-247 mantenendo la possibilità di assemblaggio automatico SMD. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di fuga minima di 6,66 mm, supportando un picco di tensione AC di 1200 V in ambienti di grado di contaminazione 2. Il dispositivo presenta bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici per xEV, inverter PV e alimentatori per server.

Caratteristiche principali

• Qualificato AEC-Q101 (grado automobilistico)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza in conduzione (RDS(on) bassa)
• Velocità di commutazione elevata
• Recupero inverso rapido
• Facile da parallellare
• Semplice da pilotare
• Placcatura piombo-free; conforme RoHS

Package e meccanica

• Package: TSC3PAK (SMD con dissipazione termica superiore)
• La dissipazione superiore consente il montaggio automatico con dissipazione paragonabile ai package through-hole classe TO-247
• Struttura a scanalatura che garantisce la distanza di fuga (6,66 mm) per supportare 1200 V AC picco in grado di contaminazione 2
• Dimensioni del package: 14,0 × 18,58 mm (spessore 3,625 mm)

Applicazioni

• Sistemi automotive: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici
• Circuiti di conversione per xEV per migliorare la velocità di ricarica e l'autonomia del veicolo
• Apparecchiature industriali: inverter PV, alimentatori server ad alte prestazioni

Risorse di progettazione e informazioni di supporto
Sono disponibili risorse per progettazione e verifica, inclusi datasheet prodotto, modelli SPICE/PLECS/PSIM, note applicative (monitoraggio, circuiti snubber, soppressione delle oscillazioni in parallelo, linee guida per il pilotaggio gate) e documenti di progettazione/caratterizzazione termica specifici per TSC3PAK e per i MOSFET SiC di 4ª generazione di ROHM.

Specifiche tecniche

• Part Number: SCT4090KTWHRTCR
• Stato: Raccomandato
• Modello: SCT4090KTWHR
• Tensione drain-source (V): 1200 V
• Resistenza on-state drain-source (Typ.) RDS(on): 90 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (ID): 18 A
• Potenza dissipabile totale: 81 W
• Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
• Intervallo temperatura di stoccaggio: -40 a 175 °C
• Dimensioni package: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Tipo di imballo: Taping
• Quantità unità: 600 (quantità minima per confezione: 600)
• RoHS: Sì
• MSL: 1