MOSFET in carburo di silicio SCT4020DTW

SiCad alta velocitàresistenza alta tensione

Panoramica
Questo prodotto è un MOSFET in carburo di silicio (SiC) nel package TSC3PAK per montaggio superficiale con struttura di dissipazione termica nella parte superiore. La superficie di dissipazione superiore consente il montaggio SMT automatico offrendo prestazioni termiche paragonabili ai package ad inserzione. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di creeping di 6,66 mm, supportando picchi di tensione AC fino a 1200 V in ambienti Pollution Degree 2. Il dispositivo utilizza la 4ª generazione di MOSFET SiC (trench) di ROHM per ottenere bassa Rds(on) e commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza. Applicazioni tipiche: caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV, inverter PV e alimentatori per server.

Punti chiave

• MOSFET SiC SMD in TSC3PAK con dissipazione termica superiore.
• Scanalatura ROHM che assicura distanza di creeping min. 6,66 mm per 1200 V AC picco (Pollution Degree 2).
• 4th Gen (Trench): bassa Rds(on) e commutazione rapida.

Caratteristiche

• Larga distanza di creeping: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza alla conduzione (typ. 20 mΩ)
• Alta velocità di commutazione e recupero inverso rapido
• Facile in parallelo e requisito di pilotaggio semplice
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Imballaggio / Specifiche

• Numero di parte: SCT4020DTWTCR
• Stato: Recommended
• Package: TSC3PAK (dissipazione superiore)
• Tipo di confezione: Taping
• Quantità per bobina: 600
• RoHS: Sì
• MSL: 1

Applicazioni

• Caricabatterie di bordo e compressori elettrici per xEV (STANDARD GRADE — non raccomandato per applicazioni automotive critiche per la sicurezza)
• Inverter PV e alimentatori per server

Documenti e modelli (selezionati)

• Datasheet disponibile
• Modelli di simulazione SPICE / PLECS / PSIM disponibili

Caratteristiche / specifiche tecniche

• Tensione drain‑source: 750 V
• Resistenza in conduzione (Typ.): 20 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain: 69 A
• Potenza dissipabile totale: 208 W
• Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
• Temperatura di stoccaggio: -40 °C a 175 °C
• Dimensioni package: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)