MOSFET resistenza alta tensione SCT4013DTW

SiCad alta velocitàin carburo di silicio

Panoramica Questo MOSFET SiC è fornito nel package SMD a 9 pin TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) con dissipazione del calore sul lato superiore. Il design del package consente il montaggio automatico su superficie garantendo una dissipazione paragonabile ai package through‑hole di classe TO‑247. Una struttura a scanalatura proprietaria garantisce una distanza di percorso minima di 6,66 mm, supportando picchi di tensione AC fino a 1200 V in ambienti di grado di inquinamento 2. Il dispositivo utilizza la tecnologia SiC MOSFET Trench di 4ª generazione di ROHM per ottenere basso RDS(on) e commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza di conversione.

Caratteristiche

• Larga distanza di percorsi d'isolamento: min. 6,66 mm (supporta picco AC 1200 V, grado di inquinamento 2)
• Bassa resistenza di conduzione (Typ. RDS(on) 13 mΩ)
• Elevata velocità di commutazione e riduzione delle perdite
• Rapida recupero inverso
• Semplice funzionamento in parallelo
• Requisiti di pilotaggio semplificati
• Placcatura senza piombo; conforme RoHS

Applicazioni

• Caricatori bordo veicolo (OBC) e compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici e conversione di energia rinnovabile
• Alimentatori per server e apparecchiature industriali che richiedono conversione di potenza ad alta efficienza

Identificativi prodotto / Imballaggio Part Number | SCT4013DTWTCR
Stato | Raccomandato
Package | TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
Tipo di confezionamento | Taping
Quantità unità | 600
Quantità minima per package | 600
RoHS | Sì
MSL | 1

Specifiche tecniche

• Modello: SCT4013DTW
• Tensione Drain‑Source (Vds): 750 V
• Resistenza on‑state (Typ.) RDS(on): 13 mΩ
• Generazione / Struttura: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (Id): 102 A
• Potenza dissipabile totale: 294 W
• Temperatura giunzione (Max.): 175 °C
• Temperatura di immagazzinamento: -40 °C a 175 °C
• Dimensioni package: 14,0 × 18,58 mm (t ≈ 3,625 mm)
• Tipo di package: 9 pin SMD, TSC3PAK con dissipazione termica superiore
• Distanza di percorso (creepage): min. 6,66 mm (struttura a scanalatura ROHM)
• Applicazioni target: OBC xEV, compressori elettrici, inverter PV, alimentatori server