MOSFET ad alta velocità SCT4013DTWHR

resistenza alta tensioneSiCper applicazioni automobilistiche

Panoramica Questo MOSFET SiC nel package TSC3PAK per montaggio superficiale posiziona la superficie di dissipazione termica sulla parte superiore del package, offrendo prestazioni termiche comparabili ai package through‑hole pur supportando il montaggio automatico. La struttura a scanalatura proprietaria di ROHM garantisce una distanza di dispersione minima di 6,66 mm, consentendo il supporto di picchi AC fino a 1200 V in ambienti Pollution Degree 2. Il dispositivo presenta bassa RDS(on) e commutazione veloce, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza nei circuiti di conversione di potenza.

Contesto di sviluppo L'adozione dei dispositivi SiC si sta estendendo dagli inverter principali ai circuiti di conversione ausiliari (es. caricabatterie di bordo e compressori elettrici) per migliorare la velocità di ricarica e l'autonomia dei veicoli. I dispositivi SiC ad alta prestazione termica hanno tradizionalmente utilizzato package through‑hole, meno adatti al montaggio automatico e ai design a basso profilo. Questo prodotto fornisce prestazioni termiche equivalenti ai package through‑hole in un formato SMD, abilitando il montaggio automatico e design più sottili senza sacrificare la capacità termica.

Esempi di applicazione

• Automotive: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici
• Inverter PV
• Alimentatori per server

Caratteristiche

• Qualificato AEC‑Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di dispersione: min. 6,66 mm (struttura a scanalatura)
• Package TSC3PAK con dissipazione superiore per montaggio automatico
• Bassa RDS(on)
• Elevata velocità di commutazione
• Recupero inverso veloce
• Facile parallelo
• Semplice da pilotare
• Placcatura terminale senza Pb; conforme RoHS

Specifiche del componente (sintesi) Numero parte: SCT4013DTWHRTCR
Stato: Raccomandato
Package: TSC3PAK
Tipo di confezionamento: Taping
Quantità unità: 600
Quantità minima imballo: 600
RoHS: Sì
MSL: 1

Caratteristiche / specifiche tecniche

• Tensione drain‑source (V): 750 V
• Resistenza allo stato on drain‑source (Tip.) (mΩ): 13 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente di drain (A): 102 A
• Potenza dissipabile totale (W): 294 W
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura di stoccaggio (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Dimensioni package (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Standard comune: AEC‑Q101 (grado automotive)
• Ampia distanza di dispersione consente picco AC 1200 V in Pollution Degree 2