MOSFET SiC SCT4036DTWHR

resistenza alta tensionead alta velocitàper applicazioni automobilistiche

Panoramica
Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale integra una struttura di dissipazione termica sulla parte superiore che consente il montaggio automatizzato pur offrendo prestazioni termiche paragonabili ai package through-hole. Una scanalatura proprietaria assicura una distanza di fuga minima di 6,66 mm, permettendo il supporto di picchi AC fino a 1200 V in ambienti con grado di inquinamento 2. La tecnologia SiC di 4ª generazione di ROHM garantisce basso RDS(on) e commutazione ad alta velocità per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza nei circuiti di potenza.

Caratteristiche

• Qualificato AEC-Q101 (automotive)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm (scanalatura proprietaria)
• Bassa resistenza in conduzione (RDS(on) bassa)
• Commutazione rapida e ripristino inverso veloce
• Semplice da utilizzare in parallelo e pilotaggio semplice
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Specifiche (sintesi)

• Numero di parte: SCT4036DTWHRTCR
• Tensione drain-source: 750 V
• Resistenza drain-source in conduzione (tip.): 36 mΩ
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente drain (riferimento): 40 A
• Potenza dissipabile totale: 128 W
• Temperatura massima di giunzione: 175 °C
• Intervallo di temperatura di stoccaggio: -40 a 175 °C
• Package: TSC3PAK (dissipazione termica lato superiore)
• Dimensioni package: 14.0 x 18.58 mm (spessore ≈ 3.625 mm)
• Tipo di confezionamento: Taping; quantità per bobina: 600; quantità minima per package: 600
• RoHS: Sì; MSL: 1

Applicazioni

• Caricabatterie di bordo (OBC) per xEV
• Compressori elettrici per xEV
• Inverter fotovoltaici
• Alimentatori server ad alte prestazioni