MOSFET SiC SCT4018KTWHR

in carburo di silicioper applicazioni automobilistichead alta velocità

Panoramica
Questo MOSFET SiC è fornito nel package TSC3PAK, una soluzione SMD con superficie di dissipazione termica posizionata sulla parte superiore del package. Consente il montaggio automatizzato offrendo prestazioni termiche comparabili ai package through‑hole TO-247-4L. La struttura a scanalatura proprietaria garantisce una distanza di fuga di 6,66 mm, supportando un picco di tensione AC di 1200 V in ambienti di grado di contaminazione 2. Il dispositivo presenta basso RDS(on) e commutazione ad alta velocità per ridurre le perdite di commutazione e migliorare l’efficienza nei circuiti di conversione di potenza, adatto a caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici per xEV, inverter PV e alimentatori server ad alte prestazioni.

Contesto di sviluppo
L’adozione del SiC si sta estendendo oltre gli inverter principali ai circuiti di conversione ausiliari (es. OBC, compressori elettrici) per aumentare la velocità di ricarica e l’autonomia. I dispositivi SiC tradizionali utilizzavano package through‑hole per la dissipazione, limitando il montaggio automatico e i design a basso profilo. Questo prodotto offre prestazioni termiche paragonabili ai through‑hole in un formato SMD, consentendo l’assemblaggio automatizzato e una maggiore affidabilità a livello di PCB.

Esempi di applicazione

• Automotive: caricabatterie di bordo (OBC)
• Automotive: compressori elettrici (xEV)
• Energia rinnovabile: inverter PV
• Data center: alimentatori per server

Caratteristiche

• Qualificato AEC‑Q101 (grado automobilistico)
• Ampia distanza di fuga: min. 6,66 mm
• Bassa resistenza di conduzione (RDS(on))
• Alta velocità di commutazione
• Recupero inverso rapido
• Facile parallellizzazione
• Semplice pilotaggio
• Placcatura dei terminali senza piombo; conforme RoHS

Specifiche tecniche

• Part Number: SCT4018KTWHRTCR
• Nome commerciale: SCT4018KTWHR
• Stato: Recommended
• Package: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
• Tipo di imballo: Taping
• Quantità unità: 600
• Quantità minima per confezione: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Tensione drain‑source (V): 1200
• Resistenza drain‑source in conduzione (Tip.) (mΩ): 18
• Generazione: 4th Gen (Trench)
• Corrente drain (A): 79
• Potenza dissipabile totale (W): 294
• Temperatura giunzione (Max.) (°C): 175
• Temperatura di stoccaggio (Min.) (°C): -40
• Temperatura di stoccaggio (Max.) (°C): 175
• Dimensioni package (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)
• Standard comune: AEC‑Q101 (Automotive Grade)