Forno di ossidazione VF-3000
a nastro trasportatoread armadioin atmosfera controllata

forno di ossidazione
forno di ossidazione
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Funzione
di ossidazione
Configurazione
a nastro trasportatore, ad armadio
Tipo di atmosfera
in atmosfera controllata
Altre caratteristiche
da laboratorio
Larghezza

1.200 mm
(47,24 in)

Altezza

2.610 mm
(102,76 in)

Profondità

1.450 mm
(57,09 in)

Descrizione

Questo forno verticale a basso prezzo, dotato di un trasportatore automatico, può essere utilizzato per una serie di funzioni, dalla ricerca e sviluppo alla produzione di massa di wafer da 4 a 8 pollici. Abbiamo raggiunto un prezzo così basso che gli utenti finali possono introdurre questo forno. È disponibile il trattamento ad altissima temperatura, più adatto alla produzione di dispositivi di potenza. Caratteristiche Apparecchiatura a basso costo per gli utenti finali La lavorazione di mini lotti, da 50 a 75 wafer, è disponibile per la R&S e per la linea di produzione di massa sono disponibili wafer di dimensioni da 4 a 8 pollici Massimo 4 stock di cassette Eccellente controllo della temperatura da bassa a medio-alta grazie a un riscaldatore LGO Trasferimento dei wafer ad alta velocità con un unico robot di movimentazione dei wafer Dotato di un sistema di controllo semplice a funzioni limitate Questo forno può essere utilizzato per un'ampia gamma di dimensioni di wafer, da 4 a 8 pollici, e può essere scelto per la lavorazione di 50-75 wafer in mini lotti. Grazie all'hardware e al sistema di controllo accuratamente selezionati per ottenere un prezzo contenuto, questo forno verticale può essere utilizzato per un'ampia gamma di funzioni, dalla ricerca e sviluppo alle linee di produzione di massa. Scegliere e utilizzare un riscaldatore adatto tra un riscaldatore LGO, un riscaldatore di disiliciuro di molibdeno (MoSi2) e un riscaldatore di carbonio non solo per la ricottura a bassa temperatura, la nitrurazione (Si3N4), il polisilicio (poly Si) e altri materiali LPCVD, l'ossidazione e la diffusione, ma anche per l'ossinitrurazione del silicio del gate del dispositivo di potenza SiC, la ricottura di attivazione e altri processi di trattamento ad altissima temperatura.

---

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.