Forno per trattamento termico VF-5900
di ossidazionead armadioelettrico

forno per trattamento termico
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Caratteristiche

Funzione
per trattamento termico, di ossidazione
Configurazione
ad armadio
Fonte di calore
elettrico
Tipo di atmosfera
in atmosfera controllata
Altre caratteristiche
per applicazioni aeronautiche
Larghezza

1.250 mm
(49,21 in)

Altezza

3.450 mm
(135,83 in)

Profondità

3.200 mm
(125,98 in)

Descrizione

Questo forno è un sistema di trattamento termico per l'ossidazione, la diffusione e la CVD di wafer di silicio, IGBT, poliimmide e wafer sottili. Come modello di punta, questo forno è dotato di un magazzino di grande capacità e presenta un tempo di ciclo ridotto. Caratteristiche Lavorazione in lotti di grandi dimensioni, max 100 wafer Max 16 stock FOUP Eccellente controllo della temperatura da bassa a medio-alta grazie all'uso del riscaldatore LGO Trasferimento dei wafer ad alta velocità grazie all'utilizzo di un robot per la movimentazione di singoli/cinque wafer Dotato di un sistema di controllo ad alte prestazioni facile da usare per l'operatore Questo forno a diffusione verticale per la produzione di grandi lotti può lavorare un massimo di 100 wafer (300 mm / 12 pollici) o 16 FOUP per lotto. Viene utilizzato un riscaldatore LGO per ottenere caratteristiche di temperatura superiori, dalle basse alle medio-alte temperature. Oltre che per i wafer di silicio, il forno è adatto per i trattamenti termici di IGBT, poliimmide, wafer sottili e altri materiali.

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.