Induttore in ferrite WL0710

magneticoa filocon nucleo in ferrite

Panoramica del prodotto
L'induttore a bobina in ferrite WL0710 è un componente magnetico passivo costituito da filo di rame smaltato avvolto attorno a un nucleo in ferrite. Accumula energia in un campo magnetico e controlla corrente e disturbi nei circuiti elettronici. I nuclei in ferrite offrono alta permeabilità magnetica e basse perdite alle alte frequenze, rendendo questi induttori adatti all'elettronica di potenza e al filtraggio EMI in applicazioni industriali.

Funzionamento
L'induttore converte energia elettrica in energia magnetica quando la corrente attraversa l'avvolgimento. Il nucleo in ferrite concentra il flusso magnetico e aumenta l'induttanza. Le variazioni di corrente inducono una tensione opposta (legge di Lenz) che si oppone ai cambiamenti rapidi. I materiali in ferrite riducono le perdite per correnti parassite alle alte frequenze, migliorando il filtraggio e la soppressione del rumore.

Caratteristiche principali

• Alta permeabilità magnetica e basse perdite del nucleo nelle bande kHz–MHz
• Costruzione compatta adatta a PCB con spazio limitato
• Efficace soppressione EMI per linee di alimentazione e segnali
• Disponibile in diverse geometrie e dimensioni personalizzabili
• Opzioni di incapsulamento (vernice, resina epossidica) e montaggio

Scheda tecnica (voci chiave)
Articolo: Induttore a bobina in ferrite WL0710
Descrizione: Filo di rame smaltato avvolto su nucleo in ferrite
Diametro del filo: 0,8 mm (opzioni AWG disponibili)
Tipo di avvolgimento: Monostrato rotondo o sezionale
Materiale del nucleo: Asta magnetica in ferrite
Lunghezza footprint: 8 mm
Incapsulamento: Vernice, epossidica o rivestimento opzionale
Montaggio: Terminale passante / opzioni su misura

Specifiche elettriche (tipiche)
Intervallo di induttanza: 0,1 µH – 100 µH (personalizzabile)
Tolleranza di induttanza: ±2%, ±5%, ±10%
Resistenza DC (DCR): Dipende dal progetto
Fattore Q: Ottimizzato per la banda di frequenza
Frequenza di auto-risonanza: Dipende dall'applicazione (tipicamente elevata)
Frequenza di esercizio: Gamma kHz–MHz
Corrente nominale: Specificata per progetto per evitare saturazione
Resistenza di isolamento: ≥100 MΩ

Applicazioni industriali
Adatto per alimentatori switching (SMPS), convertitori DC–DC, filtri EMI/RFI, telecomunicazioni, elettronica automotive (ECU, infotainment, sistemi EV), azionamenti e controllo industriale, inverter per energie rinnovabili ed elettronica di consumo che richieda soppressione del rumore compatta.

Vantaggi e svantaggi

• Vantaggi: Buone prestazioni ad alta frequenza, perdite del nucleo ridotte, formato compatto, soppressione EMI efficace, costruzione personalizzabile.
• Svantaggi: Possibile saturazione del nucleo con elevata polarizzazione DC (riduzione dell'induttanza), perdite dipendenti dal materiale a frequenze estreme, fragilità meccanica in ambienti con forti vibrazioni, comportamento non lineare rispetto a induttori ad aria.

Manutenzione e diagnostica
Controllare la saturazione del nucleo se le correnti DC o di picco superano i limiti progettuali (calo di induttanza, riscaldamento). Verificare il posizionamento su PCB, massa e schermatura per problemi EMI. Misurare induttanza e DCR con un LCR per individuare variazioni o danni. Ispezionare il nucleo per crepe e sostituire se danneggiato. Utilizzare imaging termico per individuare punti caldi.

Linee guida di selezione e consigli di progettazione
Definire prima il valore di induttanza e la corrente massima richiesta. Scegliere la qualità di ferrite adatta alla frequenza operativa per minimizzare le perdite. Prevedere margine per la polarizzazione DC per evitare saturazione. Ottimizzare l'avvolgimento e minimizzare la DCR per ridurre le perdite I²R. Considerare versioni schermate in ambienti rumorosi e validare con prototipazione in condizioni reali.

Metodi di calcolo dell'induttanza
Metodo A_L di base:
L = A_L × N² (L in nH, A_L in nH/N², N = numero di spire). Esempio: A_L = 250 nH/N² e N = 10 → L = 250 × 100 = 25000 nH = 25 µH.
Metodo del circuito magnetico (riluttanza):
L = N² / ℛ_total dove ℛ_total = ℛ_nucleo + ℛ_gap e ℛ = l / (μ0 × μr × A). L'introduzione di un gap d'aria aumenta la riluttanza totale, riduce l'induttanza e previene la saturazione sotto polarizzazione DC. Considerare la dipendenza in frequenza di μr, gli effetti del bias DC e le perdite di fringing.

Note
L'induttanza e le perdite variano con frequenza, bias DC e temperatura; scegliere materiali e geometria in base ai requisiti applicativi e convalidare sperimentalmente.

Specifiche tecniche

• Modello: WL0710
• Materiale del nucleo: Ferrite (asta magnetica)
• Avvolgimento: Filo di rame smaltato, monostrato rotondo o sezionale
• Diametro del filo: 0,8 mm (opzioni AWG disponibili)
• Lunghezza footprint: 8 mm
• Opzioni di incapsulamento: Vernice, epossidico o rivestimento
• Montaggio: Terminale passante o su misura
• Intervallo di induttanza: 0,1 µH – 100 µH (personalizzabile)
• Tolleranze: ±2%, ±5%, ±10%
• Frequenza di esercizio: kHz–MHz
• Corrente nominale: Personalizzata per progetto
• Resistenza di isolamento: ≥100 MΩ
• Fattore Q: Alto (ottimizzato per la gamma di frequenza)