Microscopio a forza atomica

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Panoramica del prodotto
Il microscopio a forza atomica (AFM wafer-level) è uno strumento di sonda a scansione ad alta risoluzione progettato per caratterizzare la morfologia superficiale tridimensionale e le proprietà multifunzionali di conduttori, semiconduttori e isolanti su scala wafer, con avvicinamento della sonda automatizzato e elevata precisione di posizionamento.

Caratteristiche

• Test multifunzione avanzati: capacità di misura includono modulo di Young, adesione, imaging dei domini magnetici, potenziale di superficie, funzione lavoro e altre grandezze fisiche.
• Ambiente adattabile: compatibile con accessori come piastre di coltura e stages riscaldati; supporta misure in fase aria e liquida e operazioni in ambienti immersi e ad alta temperatura.
• Avvicinamento sonda intelligente: inserimento automatico della sonda con un solo pulsante tramite tubo di scansione piezoelettrico.
• Dimensione campione adattabile: progettato per la gestione di wafer da 12 pollici e retrocompatibile con wafer da 8, 6, 4 pollici e frammenti.

Indicatori tecnici

• Rumore (XY): 0,2 nm (anello chiuso), 0,02 nm (anello aperto).
• Rumore (Z): 0,06 nm (anello chiuso), 0,03 nm (anello aperto).
• Non linearità: 0,15% (XY), 1% (Z).
• Modalità di scansione: modalità di scansione completa della sonda XYZ (il campione rimane fermo durante la scansione).
• Gamma di scansione: 90 μm × 90 μm × 9 μm.
• Velocità di scansione: 0,1 Hz a 30 Hz.
• Punti di campionamento immagine: da 32 × 32 fino a 4000 × 4000.
• Compatibilità dimensione campione: wafer da 12 pollici; retrocompatibile con wafer da 8, 6, 4 pollici e frammenti.
• Modalità di lavoro: contact, tapping, non-contact.
• Ambienti adattivi: fase aria e liquida.
• Modalità di misura multifunzione: EFM, KPFM, PFM, C-AFM, SCFM, MFM, LFM, nano-incisione/processing, spettroscopia di forza a punto singolo, modalità di modulazione della forza.
• Opzionale: carico e scarico totalmente automatici.
• Sistema di avvicinamento sonda totalmente automatico: corsa 35 mm, precisione passo 50 nm.

Immagini rappresentative / casi reali

• Morfologia di campione proteico globulare (modalità tapping).
• Potenziale dell'elettrodo a striscia Au-Ti — scansionato con KPFM (modalità lift), esempio di scansione: 18 μm × 18 μm.
• Forza elettrostatica dell'elettrodo Au-Ti — EFM (modalità lift), esempio di scansione: 18 μm × 18 μm.
• Dominio magnetico di film sottile Fe-Ni — MFM (modalità lift), esempio di scansione: 14 μm × 14 μm.
• Mappa ampiezza verticale piezoelettrica di PbTiO3 — PFM (modalità contact), esempio di scansione: 20 μm × 20 μm.
• Morfologia di sfere in polistirene — modalità tapping, esempio di scansione: 10 μm × 10 μm.
• Immagini della morfologia di fibre di SiC.

Caratteristiche / specifiche

• Tipo di sonda: sonda micro-cantilever per caratterizzazione 3D delle superfici.
• Risoluzione di imaging: fino a 20 picometri (dichiarazione del sistema).
• Stadio di posizionamento: stadio di posizionamento motorizzato con imaging ottico; precisione di posizionamento 1 µm su un'area di 300 mm × 300 mm.
• Automazione: avvicinamento della sonda automatizzato e regolazione dei parametri di scansione; opzione di carico/scarico wafer totalmente automatico.
• Supporto ambiente e campioni: supporta piastre di coltura, stadi riscaldati, celle liquide e configurazioni ad alta temperatura per condizioni sperimentali flessibili.
• Applicazioni tipiche: caratterizzazione dei materiali, imaging dei domini magnetici, mappatura del potenziale superficiale, mappatura della risposta piezoelettrica, morfologia su scala nanometrica di campioni biologici e inorganici.