Substrato ceramica AMB

nitruro di alluminioper elettronica di potenzametallico per l'industria elettronica

Panoramica del prodotto
AMB (Active Metal Brazing) è un processo di brasatura ad alta temperatura che crea un legame chimico tra ceramica e metallo tramite elementi attivi (Ti, Zr) nel materiale d'apporto, formando uno strato reattivo che può essere bagnato dal metallo d'apporto liquido. Il legame chimico risultante offre elevata resistenza meccanica e affidabilità a lungo termine per l'imballaggio di dispositivi di potenza.

Elementi attivi e note di processo
Il contenuto di elementi attivi è tipicamente mantenuto tra il 2% e l'8% per preservare l'attività. Un contenuto eccessivo aumenta la fragilità della saldatura e può ridurre la resistenza della tenuta; un contenuto insufficiente diminuisce l'umidità superficiale sulla ceramica e può impedire la completa sigillatura ermetica.

Vantaggi

• Legame chimico tra ceramica e saldatura attiva a elevate temperature → maggiore resistenza di giunzione e affidabilità migliorata
• Possibilità di spessori di rame differenti su una singola piastra
• Processo ecologico
• Elevata resistenza ai cicli termici e alle basse temperature
• Compatibile con automazione completa per alta efficienza produttiva e basso costo
• Spessore del rame 0,1–0,5 mm disponibile, adatto per l'incapsulamento di dispositivi ad alta potenza

Applicazioni

• Moduli di potenza SiC
• Moduli IGBT
• Inverter per azionamenti elettrici
• Inverter fotovoltaici
• Convertitori per energia eolica
• Convertitori di frequenza industriali
• Alimentatori switching ad alta potenza
• Alimentatori per stazioni base 5G
• Alimentatori ad alta potenza per data center
• Moduli RF per comunicazioni

Proprietà
Si3N4 (Nitruro di silicio)
Composizione: 96% SiN
Spessore (mm): 0,2; 0,32; 0,35; 0,635; 0,4–1,5
Densità (g/cm3): 3,2 ± 0,25
Conduttività termica (20°C, W/m·K): 85+
Resistenza a flessione (MPa): 700–800
Costante dielettrica (1 MHz): 8
Perdita dielettrica (1 MHz): 0,001
Resistenza dielettrica (kV/mm): 20
Resistività volumetrica (Ω·cm): 1e14

AlN (Nitruro di alluminio)
Composizione: 96% AlN
Spessore (mm): 0,25; 0,32; 0,635
Densità (g/cm3): 3,3
Conduttività termica (20°C, W/m·K): 170+
Resistenza a flessione (MPa): 350
Costante dielettrica (1 MHz): 9
Perdita dielettrica (1 MHz): 0,0005
Resistenza dielettrica (kV/mm): 20
Resistività volumetrica (Ω·cm): 1e14

Rame (senza ossigeno)
Purezza (%): 99,99
Durezza (HV): 60–110
Conduttività (MS/m): 58,6
Spessore (mm): 1,2; 1,0; 0,8; 0,5; 0,4; 0,3; 0,25; 0,2

Sottostrato AMB (generale)
Dimensione massima (mm): 190 × 140
Spaziatura tracce (mm): ≥0,5
Larghezza traccia: personalizzata
Forza di adesione dello strato di rame (min) (N/mm): >10
Saldabilità (%): >95%
Consegna: pezzi piccoli o pannelli
Finiture superficiali: Cu / Au / Ag

Specifiche / dati tecnici

• Opzioni materiale: Si3N4 (96% SiN) e AlN (96% AlN)
• Spessori Si3N4: 0,2; 0,32; 0,35; 0,635; 0,4–1,5 mm
• Spessori AlN: 0,25; 0,32; 0,635 mm
• Densità Si3N4: 3,2 ± 0,25 g/cm³; densità AlN: 3,3 g/cm³
• Conduttività termica: Si3N4 ~85+ W/m·K; AlN ~170+ W/m·K (20°C)
• Resistenza a flessione: Si3N4 700–800 MPa; AlN ~350 MPa
• Costante / perdita dielettrica: Si3N4 8 / 0,001 (1 MHz); AlN 9 / 0,0005 (1 MHz)
• Resistenza dielettrica: 20 kV/mm (entrambi)
• Resistività volumetrica: 1e14 Ω·cm (entrambi)
• Rame: senza ossigeno, purezza 99,99%; conduttività 58,6 MS/m; spessori 0,2–1,2 mm
• Meccanica / assemblaggio: adesione >10 N/mm; saldabilità >95%
• Dimensione max substrato: 190 × 140 mm; spaziatura min tracce ≥0,5 mm; larghezza traccia personalizzabile
• Opzioni finitura superficiale: Cu / Au / Ag