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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... >Il R6024WNJ2 è un MOSFET Super Junction PrestoMOS™ canale N da 600 V in package TOLL a bassa altezza per montaggio superficiale. Offre bassa RDS(on) e rapida recupero inverso (trr), adeguato per applicazioni di commutazione ...
ROHM Semiconductor
... R6055XNJ2 è un MOSFET di potenza Super Junction N‑channel da 600 V, progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Offre bassa resistenza di conduzione e commutazione rapida ...
ROHM Semiconductor
... è un MOSFET Super Junction N-channel PrestoMOS™ da 600 V in package TOLL (MO-299) a montaggio superficiale e basso profilo. Offre bassa resistenza RDS(on) e caratteristiche di commutazione/recupero rapide, adatto ad applicazioni di potenza ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
MOSFET Super Junction N-canale 600V a commutazione
ad
alta
velocità in pacchetto SMD a profilo basso TOLL (MO-299). Offre bassa RDS(on), caratteristiche di ammissione ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Il R6038XNJ2 è un
MOSFET di potenza Super Junction N‑channel da 600 V per commutazione ad
alta
velocità, con bassa resistenza di conduzione e buone caratteristiche di commutazione ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Il R6020XNJ2 è un
MOSFET Super Junction per switching
ad
alta
velocità da 600 V in package TOLL SMD a basso profilo. Offre bassa RDS(on) e caratteristiche di ammettenza ...
ROHM Semiconductor
... Questo MOSFET SiC in package TSC3PAK per montaggio superficiale dispone di una struttura di dissipazione sul lato superiore, con la superficie termica posta sulla parte superiore del package; consente il montaggio automatico mantenendo ...
ROHM Semiconductor
... Panoramica
Il
MOSFET SiC SCT4062KTWHR in package TSC3PAK è progettato per applicazioni di conversione e commutazione di potenza ad
alta tensione. Offre bassa resistenza di conduzione e commutazione
rapida ...
ROHM Semiconductor
... in ambienti di grado di inquinamento 2, offre bassa resistenza di conduzione e commutazione ad
alta
velocità, ed è destinato a conversioni di potenza ad
alta efficienza in applicazioni industriali.
Caratteristiche ...
ROHM Semiconductor
... V in ambiente Pollution Degree 2. Il dispositivo utilizza la tecnologia SiC MOSFET di 4ª generazione (Trench) di ROHM per ottenere bassa Rds(on) e commutazione ad alta velocità, riducendo le perdite di ...
ROHM Semiconductor
... alto voltaggio, i
MOSFET mSiC® garantiscono un diodo di corpo stabile, lunga vita dell'ossido e
prestazioni di avalanche e corto circuito di livello superiore per migliorare affidabilità e disponibilità del sistema.
MOSFET ...
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