Lastra di ceramica

in alluminain ossido di almluminiodi protezione

Panoramica del prodotto
Le basi e gli ugelli in ceramica di allumina (Al2O3) sono impiegati nelle apparecchiature per la lavorazione dei semiconduttori, come i sistemi di impianto e i componenti dei generatori di elettroni. Disponibili nei gradi 95%, 99% e 99,7% Al2O3, questi componenti garantiscono isolamento elettrico, maggiore conducibilità termica e resistenza meccanica per ambienti ad alta temperatura e alta tensione.

Proprietà principali

• Ingrediente chimico principale: Al2O3 (95% / 99% / 99,7%)
• Densità apparente: 3,6 / 3,89 / 3,96 g/cm3
• Temperatura massima di utilizzo: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Conducibilità termica (20°C): 16 / 30 / 30,4 W/m·K
• Resistenza dielettrica: 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220) ac-kV/mm (ac V/mil)
• Resistività di volume (100°C): >10^13 / >10^14 / >10^14 ohm·cm
• Resistenza a flessione (20°C): 358 (52) / 550 / 550 MPa
• Resistenza a compressione (20°C): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377) MPa
• Toughness (frattura) K(Ic): 4–5 / 5,6 / 6 MPa·m1/2

Applicazioni
Utilizzata come elementi di isolamento, schermatura e parti soggette a usura in generatori di elettroni, apparecchiature di impianto e altri strumenti per la produzione di semiconduttori. Adatta per componenti esposti ad alte temperature, alte tensioni o atmosfere di processo corrosive.

Specifiche tecniche

• Ingrediente chimico principale: Al2O3 (95% / 99% / 99,7%)
• Densità apparente (g/cm3): 3,6 / 3,89 / 3,96
• Temperatura massima di utilizzo: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Assorbimento d'acqua (%): 0 / 0 / 0
• Durezza ROHS: ≥85 / ≥89 / ≥89
• Resistenza a flessione (20°C) MPa (psi x 10^3): 358 (52) / 550 / 550
• Resistenza a compressione (20°C) MPa (psi x 10^3): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377)
• Toughness da frattura K(Ic) MPa·m1/2: 4–5 / 5,6 / 6
• Coefficiente di espansione termica (25-1000°C) 1×10^-6/°C: 7,6 / 7,9 / 8,2
• Conducibilità termica (20°C) W/m·K: 16 / 30 / 30,4
• Resistenza agli shock termici (°C): 250 / 200 / 200
• Costante dielettrica (1MHz, 25°C): 9 / 9,7 / 9,7
• Resistenza dielettrica ac-kV/mm (ac V/mil): 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220)
• Resistività di volume (100°C) ohm·cm: >10^13 / >10^14 / >10^14