Macchina da taglio laser RM-LS-SiC-1200

per silicio monocristallinodi waferper l'industria dei semiconduttori

Utilizzando laser a banda semitrasparente per focalizzare con precisione l’interno del lingotto, si forma uno strato di modifica uniforme grazie all’effetto multifotonico, che induce una propagazione controllabile delle microfessure. Segue poi un processo di distacco assistito da ultrasuoni per ottenere il distacco completo dell’intero substrato. L’apparecchiatura è in grado di completare in modo efficiente il distacco di lingotti di SiC e l’assottigliamento di precisione dei wafer, risultando al contempo compatibile con il distacco di materiali cristallini duri e fragili quali GaN e diamante. Si caratterizza per una perdita di distacco estremamente ridotta, un’elevata planarità, l’assenza di sollecitazioni meccaniche e un’elevata efficienza nella produzione di massa, rendendola un’apparecchiatura fondamentale per la produzione in serie di dispositivi di potenza a semiconduttori a banda larga.* Adatta per 8/12 pollici Modulo centrale sviluppato internamente Algoritmi e strutture di base per il tracciamento della messa a fuoco, il controllo del campo luminoso e il prelievo guidato dei wafer. Bassa perdita di materiale Perdita totale dopo la molatura pari a soli 100 µm (wafer conduttivo da 8 pollici). Elevata efficienza di lavorazione Elevata efficienza di lavorazione: 15 min/wafer. Soluzione integrata Soluzione che integra modifica laser + separazione assistita da ultrasuoni + prelievo automatico del wafer + AOI.