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Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensione: 4.500, 5.200 V
... diodi bipolari a transistor bipolari a gate isolati ad alta potenza (IGBT) in un alloggiamento modulare avanzato che garantisce una pressione uniforme del chip in pile di dispositivi multipli. Sebbene il pacchetto più ...
Corrente: 25 mA
Tensione: 13 V
... CARATTERISTICHE - Alimentazione DC-DC isolata incorporata; Alimentazione singola topologia di azionamento dell'alimentazione - Alta tensione di isolamento di 3750VAC - Frequenza del segnale d'ingresso fino a 20kHz - Circuito di guasto ...
Tensione: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita ...
Corrente: 600 A
Tensione: 1.200 V
... I moduli IGBT di Littelfuse offrono l'elevata efficienza e la velocità di commutazione della moderna tecnologia IGBT in un formato robusto e flessibile. Utilizzati per applicazioni di controllo dell'alimentazione, ...
... Toshiba offre un'ampia gamma di transistor bipolari adatti a varie applicazioni, tra cui dispositivi a radiofrequenza (RF) e di alimentazione. ...
Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... MOSFET a canale P a livello normale e logico, che riducono la complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
I moduli di potenza IGBT di Hitachi Energy sono disponibili in versioni da 1.700 a 6.500 volt, come singolo IGBT, IGBT doppio/diramazione di fase (phase-leg), chopper e doppio diodo. I moduli HiPak IGBT ...
Corrente: 5 A
Tensione: 500 V
... Zoccoli per transistor di potenza 5.passo di 45 mm / 0,215 Alta temperatura Bassa emissione di gas Contatto rotondo ad alta affidabilità che offre buone prestazioni elettriche e meccaniche. Gli zoccoli di prova per transistor ...
Corrente: 5 A
... Zoccoli per transistor di potenza Per TO-247 (4pin) Alta temperatura. ℃ Bassa emissione di gas Questo zoccolo di prova per transistor di potenza è compatibile con il pacchetto TO-247(4pin) e può essere ...
Corrente: 5 A
... Zoccoli di prova per transistor di potenza, passo personalizzato Alta corrente Passo Tipo standard／ Tipo a foro passante Bassa emissione di gas Se volete valutare un dispositivo che non è supportato dalle specifiche ...
Corrente: 100 mA
Tensione: 65, 45, 30 V
... Applicazioni tipiche Elaborazione del segnale Commutazione Amplificazione Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101x) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 *) Caratteristiche Uso generale Tre gruppi di guadagno di ...
Diotec
Corrente: 100 mA
Tensione: 50, 60 V
... Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101*) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 x) Caratteristiche Due transistor complementari in un unico pacchetto Risparmio di costi e spazio grazie all'integrazione ...
Diotec
Corrente: 25 mA
Tensione: 20 V
... Tensione emettitore collettore - Vceo 20 V Corrente di collettore CC - Ic - 25 mA Polarità - pol - NPN Dissipazione di potenza - Ptot - 0,200 W Temperatura di giunzione - Tjmax - 150 °C Guadagno di corrente CC - hfe - 85 - VcE - 10 V ...
Diotec
Tensione: 110, 265 V
... Descrizione TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET di potenza 700 V, una sorgente di corrente commutata ad alta tensione, controllo PWM, oscillatore, circuito di spegnimento termico, protezione da guasti e altri circuiti di controllo su un ...
Power Integrations
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura ...
Corrente: 2 A
Tensione: 36 V
... Con questo MOSFET è possibile controllare una tensione fino a 36 Volt. Con la modulazione dell'ampiezza degli impulsi, è possibile abbassare la tensione quadratica (ad esempio per attenuare una luce LED). COMPATIBILE CON Arduino, Raspberry ...
Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensione: 2,7 V
Broadcom
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... GNP1070TC-Z è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron*Ciss、Ron*Coss). È un prodotto della serie EcoGaN™ che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni ...
ROHM Semiconductor
... I fotoaccoppiatori per autoveicoli (uscita a transistor, uscita IC) sono disponibili in piccoli pacchetti con elevata rigidità dielettrica (3,75KV) e funzionamento ad alta temperatura, fino a 135 °C. Ciò facilita la progettazione ...
Tensione: 7,5 V
... Stadio di uscita per radio portatili in banda UHF Stadio di uscita per radio portatili 700-800 MHz Driver generico da 6 W per transistor dello stadio finale ISM e broadcast ...
Corrente: -0,5 A
Tensione: -50 V
... 50A02CH è un transistor bipolare a bassa VCE(sat), PNP singolo per applicazioni di amplificatori generici a bassa frequenza. Applicazioni Amplificatore a bassa frequenza Commutazione ad alta velocità Azionamento di ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensione: 36 V - 70 V
... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side (OMNIFET) intelligenti a 3 e 5 pin per il settore automobilistico basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria permette l'integrazione ...
STMicroelectronics
Tensione: -400 V - 1.000 V
... Vishay è il primo produttore mondiale di MOSFET a bassa potenza. La linea di prodotti MOSFET di potenza Vishay Siliconix include dispositivi in più di 30 tipi di confezione, tra cui le famiglie MICRO FOOT® in scala di chip e PowerPAK® ...
Tensione: 45 V
... DESCRIZIONE: I tipi di SEMICONDUTTORE CENTRALE BCX51, BCX52 e BCX53 sono transistor al silicio PNP prodotto con il processo planare epitassiale, stampato a resina epossidica in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato ...
Central Semiconductor
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
SEMIKRON
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensione: 600 V - 1.700 V
... Greegoo offre moduli IGBT (insulated-gate bipolar transistor) in diverse topologie, correnti e tensioni nominali. Da 15A a 1600A in classi di tensione da 600V a 1700V, i moduli IGBT sono ...
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