- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Modulo per transistor IGBT RTU200HF120FA2di potenza
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di potenza
- Corrente
200 A
- Tensione
1.200 V
Descrizione
Caratteristiche
-1200V200A,VCE(sat)(tip.)=3.0V
-Velocità di commutazione ultraveloce
-Eccellente resistenza al cortocircuito
-Modulo a mezzo ponte da 62 mm
Applicazioni generali:
Gli IGBT di Rongtech offrono una velocità di commutazione ultraveloce per applicazioni quali saldatura, riscaldamento induttivo, UPS e altre applicazioni ad alta frequenza
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Cataloghi
RTU200HF120FA2
7 Pagine
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