Modulo per transistor IGBT RTS600HF120T9H
di commutazione

modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione

Descrizione

Caratteristiche: - Cortocircuito nominale> 10ps - Bassa tensione di saturazione: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA Testato - (2*lc) - Bassa induttanza di dispersione - Senza piombo, conforme ai requisiti RoHS Applicazioni: - Convertitori ad alta potenza - Azionamenti motore - Sistemi UPS - Turbine eoliche

---

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.