Bersaglio di polverizzazione catodico in tungsteno WTi

catodica in titanio

Panoramica del prodotto
WTi (tungsteno‑titanio) combina l’elevata densità del tungsteno con la resistenza alla corrosione e l’adesione del titanio. Composizione tipica: ≈ 10 % Ti in peso. WTi funge da barriera di diffusione e strato di adesione nei processi PVD per film sottili, impedendo la diffusione di atomi indesiderati tra strati funzionali.

Vantaggi principali

• Purezza: > 99,95 % (opzioni fino a 99,99 % per applicazioni semiconduttori)
• Alta densità: ≥ 98 %
• Microstruttura omogenea e distribuzione uniforme del titanio
• Elevate velocità di sputtering grazie all’elevata densità del materiale
• Bassa generazione di particelle durante il deposito

Ambiti di impiego
WTi (≈ 10 % Ti in peso) è utilizzato come barriera di diffusione e promotore di adesione nella metallizzazione dei microchip (separando metalli come Al o Cu dal silicio). Nelle celle solari flessibili a film sottile CIGS, uno strato WTi impedisce la diffusione di Fe dai substrati in acciaio attraverso il contatto posteriore in Mo verso il semiconduttore, preservando l’efficienza anche a tracce di impurità. WTi è altresì indicato per processi PVD che richiedono bassa contaminazione particellare e alte velocità di deposizione.

Formati e fornitura
Plansee produce bersagli WTi tramite processi di metallurgia delle polveri. I bersagli sono disponibili in formati piani e rotativi e in diverse dimensioni, con diametri comuni fino a 450 mm a seconda della configurazione e della richiesta del cliente.

Produzione e controllo qualità
Plansee gestisce l’intera filiera produttiva: miscelazione polveri, pressatura, sinterizzazione, lavorazione meccanica e bonding. Il controllo di processo garantisce densità, purezza e microstruttura costanti. Purezza minima garantita: tipicamente 99,95 % (3N5); 99,99 % (4N) disponibile per applicazioni semiconduttori. Elevata densità e purezza riducono la formazione di particelle e migliorano i risultati di deposizione.

Pubblicazioni / R&S

• Studi su contaminazione da particelle e formazione di noduli in film W–Ti correlando proprietà del bersaglio e generazione di particelle durante il deposito.
• Articoli sui vantaggi della metallurgia delle polveri per la produzione di bersagli di sputtering.

Caratteristiche / specifiche tecniche

• Sistema materiale: WTi (Ti tipico ≈ 10 % in peso)
• Densità: ≥ 98 %
• Purezza: > 99,95 % (opzioni fino a 99,99 % per semiconduttori)
• Contenuto di titanio: ≈ 10 % in peso
• Omogeneità distribuzione Ti: ± 0,5 %
• Microstruttura: grano fine, < 50 µm
• Formati disponibili: bersagli piani e rotativi; diametri fino a 450 mm
• Processo di fabbricazione: metallurgia delle polveri (miscelazione, pressatura, sinterizzazione, lavorazione, bonding)