Piastra d'appoggio in molibdeno

in nichelin oroin tungsteno

Panoramica
Piastrine di base in molibdeno (Mo) e tungsteno (W) forniscono un substrato termicamente compatibile per diodi di potenza, tiristori e transistor. Coefficienti di dilatazione simili riducono le sollecitazioni meccaniche tra semiconduttore e supporto; l’elevata purezza del materiale garantisce una conduttività termica affidabile.

I vantaggi in sintesi

• Progettazione su misura secondo specifiche (rotonde, quadrate, rettangolari, profondità speciali)
• Opzioni di rivestimento: PVD ultrapuro o elettrodeposizione
• Imballaggio in sala bianca su specifica del cliente dopo il rivestimento
• Supporto dal prototipo alla produzione in serie – capacità interne

Compatibilità termica e affidabilità
L’allineamento dei coefficienti di dilatazione minimizza le tensioni durante i cicli termici e prolunga la vita utile dei moduli. I rivestimenti PVD ultrapuri garantiscono strati omogenei; l’elettrodeposizione è disponibile come alternativa secondo l’applicazione. La produzione interna dei target PVD e il controllo dei processi assicurano purezza e prestazioni costanti.

Flessibilità progettuale
Forniamo piastrine in diverse geometrie (tonde, quadrate, rettangolari, profonde/gradinate) adattando spessori e rivestimenti alle esigenze applicative. Supportiamo prototipi e produzione in serie con processi su misura.

Qualità e filiera
L’approvvigionamento di materie prime presso fornitori consolidati garantisce tracciabilità e qualità costante di polveri/ossidi di molibdeno e tungsteno. Collaborazioni con trasformatori specializzati assicurano la disponibilità per i volumi di produzione.

Opzioni di rivestimento

• Rutenio (Ru)
• Nichel (Ni)
• Cromo (Cr)
• Argento (Ag)
• Oro (Au)

Proprietà tipiche (confronto)
Molybdeno (Mo) vs Tungsteno (W):
Purezza [%]: Mo 99,97 ; W 99,99
Coefficiente di dilatazione a 20 °C [ppm/K]: Mo ≈ 5,2 ; W ≈ 4,2
Conduttività termica a 20 °C [W/(m·K)]: Mo ≈ 142 ; W ≈ 164

Dimensioni tipiche (esempi)
Dischi in molibdeno: Spessore da 0,1 mm fino a ≥ 7,0 mm ; Diametro: 2,5 mm fino a ≥ 150,0 mm
Dischi in tungsteno: Spessore da 0,4 mm fino a ≥ 7,0 mm ; Diametro: 2,5 mm fino a ≥ 150,0 mm
Quadrati/rettangoli Mo: Spessore 0,1 mm ≥ 5,0 mm ; Lato lungo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lato corto 0,2 mm ≥ 10,0 mm
Quadrati/rettangoli W: Spessore 0,4 mm ≥ 5,0 mm ; Lato lungo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lato corto 0,2 mm ≥ 10,0 mm

Processi e servizi

• Trattamento materie prime (gestione ossidi, miscelazione leghe)
• Pressatura, sinterizzazione e trattamenti termici
• Formatura e lavorazioni meccaniche di precisione
• Rivestimenti superficiali (PVD e elettrodeposizione) e imballaggio in sala bianca
• Garanzia qualità, test, riciclo e supporto ciclo vita prodotto

Specifiche tecniche

• Materiali: molibdeno (Mo), tungsteno (W)
• Purezza: Mo ≈ 99,97 % ; W ≈ 99,99 %
• CTE (20 °C): Mo ≈ 5,2 ppm/K ; W ≈ 4,2 ppm/K
• Conduttività termica (20 °C): Mo ≈ 142 W/(m·K) ; W ≈ 164 W/(m·K)
• Metalli di rivestimento: Ru, Ni, Cr, Ag, Au
• Processi di rivestimento: PVD (ultrapuro) e elettrodeposizione
• Imballaggio: packaging in sala bianca su richiesta cliente
• Supporto produzione: prototipazione a serie, produzione interna target PVD e processi correlati