Panoramica del prodottoComponenti per processi epitassiali (MOCVD e MBE) impiegati nella produzione di chip LED, transistor, celle solari e altri dispositivi optoelettronici. Le parti sono realizzate in metalli refrattari (molibdeno, tungsteno) e leghe speciali per l'uso in camere di reazione soggette a temperature estreme e condizioni di vuoto. Plansee fornisce una gamma completa di parti per reattori, tra cui schermature, collettori di gas ed elementi riscaldanti.
Vantaggi principali- Simulazione FEM (metodo degli elementi finiti) per l'ottimizzazione termica
- Progettazioni personalizzate e produzione su misura
- Rivestimento brevettato a base di tungsteno poroso
- Riduzione della temperatura di esercizio grazie alla maggiore emissività
- Maggiore durata utile e minore frequenza di sostituzione
- Rendimento superiore per ciclo di rivestimento
Applicazioni e prestazioniGli elementi riscaldanti nei sistemi MOCVD possono raggiungere circa 2000 °C. Plansee offre oltre 50 componenti diversi per MOCVD e sistemi epitassiali correlati, disponibili come parti OEM o ricambi. Il miglioramento del progetto e l'ottimizzazione tramite FEM mirano a ottenere una distribuzione della temperatura omogenea nella camera di reazione per migliorare l'uniformità del rivestimento e il rendimento del processo.
Rivestimento e aumento della durataIl rivestimento brevettato di Plansee, a base di tungsteno poroso, aumenta l'area superficiale efficace e l'emissività degli elementi riscaldanti. Una maggiore emissività riduce la temperatura operativa necessaria per lo stesso flusso termico e prolunga la vita utile dei componenti di diversi mesi, riducendo i costi operativi complessivi.
Tabella: comportamento secondo le atmosfereMezzo | Molibdeno | Tungsteno
Gas ammoniacale | fino a 1000 °C (1273 K) — nessuna reazione; oltre 1000 °C — possibile nitruro superficiale | fino a 1000 °C (1273 K) — nessuna reazione; oltre 1000 °C — possibile nitruro superficiale
Gas nobili | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione
Anidride carbonica | ossidazione oltre 1200 °C (1473 K) | ossidazione oltre 1200 °C (1473 K)
Monossido di carbonio | ossidazione oltre 1400 °C (1673 K) | ossidazione oltre 1400 °C (1673 K)
Idrocarburi | carburazione oltre 1100 °C (1373 K) | carburazione oltre 1200 °C (1473 K)
Aria e ossigeno | ossidazione oltre 400 °C (673 K); sublimazione oltre 600 °C (873 K) | ossidazione oltre 500 °C (773 K); sublimazione oltre 850 °C (1123 K)
Azoto | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione (si applica al molibdeno puro) | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione (si applica al tungsteno puro)
Vapore acqueo | ossidazione oltre 700 °C (973 K) | ossidazione oltre 700 °C (973 K)
Idrogeno | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione (attenzione al punto di rugiada) | fino alle temperature più elevate — nessuna reazione (attenzione al punto di rugiada)
Note sui materiali e sul processo- Alta purezza: materiali forniti con purezza > 99,97% per evitare contaminazioni degli strati semiconduttori.
- Bassa pressione di vapore: idonei per applicazioni in alto e ultraupvacuum.
- Leghe speciali disponibili (TZM, WVM, ML, WL) per migliore resistenza al fluage e stabilità dimensionale sotto cicli termici.
- Il rivestimento brevettato aumenta l'emissività termica, permettendo temperature operative più basse e una vita utile prolungata.
Caratteristiche / specifiche tecniche- Temperature tipiche degli elementi riscaldanti MOCVD: fino a ≈ 2000 °C (progettazione e materiali per alte temperature)
- Materiali: molibdeno, tungsteno e leghe specializzate (es. TZM, WVM, ML, WL)
- Punti di fusione: molibdeno ≈ 2620 °C; tungsteno ≈ 3420 °C
- Purezza: > 99,97 %
- Bassa pressione di vapore adatta ad alto / ultraupvacuum
- Rivestimento poroso brevettato a base di tungsteno per aumentare l'emissività superficiale
- Simulazioni FEM per omogeneità termica e ottimizzazione del progetto
- Oltre 50 componenti MOCVD disponibili (schermature, collettori di gas, elementi riscaldanti)