Diodo laser pulsato PVGR4S12H

a nanosecondia stato solidoad infrarossi vicini

Panoramica del prodotto
Il PVGR4S12H è un diodo laser pulsato in package metallico progettato per funzionamento a 1550 nm. Integra un chip a singola cavità quad‑stack con stripe da 300 µm (12 mil) ed è fornito in package metallico 9 mm CD. Il dispositivo eroga potenza di picco in impulso elevata, con potenza di picco testata di 58 W @ 40 A con impulso da 150 ns.

Tecnologia e prestazioni
Progettazione a pozzetto quantico con doppia eterostruttura coltivata tramite MOCVD, ottimizzata per lunghezza d'onda centrale 1550 nm. Questa lunghezza d'onda consente di sfruttare livelli di emissione consentiti più elevati per operazioni eye‑safe (possibile classificazione Classe 1 secondo limiti FDA/applicabili). Sono disponibili varianti di potenza di picco per adattarsi ai requisiti di sistema.

Caratteristiche

• Diodo laser pulsato in package metallico per applicazioni industriali
• Architettura del chip a singola cavità, quad‑stack
• Larghezza stripe: 300 µm (12 mil)
• Disponibile in diverse opzioni di package, incluso package metallico 9 mm CD

Documentazione
Datasheet disponibile con specifiche elettriche, ottiche e meccaniche, condizioni di test e raccomandazioni per la manipolazione.

Specifiche tecniche

• Lunghezza d'onda centrale: 1550 nm
• Architettura del chip: singola cavità, quad‑stack
• Larghezza stripe: 300 µm (12 mil)
• Potenza di picco testata: 58 W @ 40 A con impulso da 150 ns
• Varianti di potenza di picco disponibili: 7 W, 14 W, 58 W
• Capacità di potenza di picco in impulso: fino a 58 W (a seconda del modello)
• Struttura attiva: pozzetto quantico
• Metodo di crescita: MOCVD doppia eterostruttura
• Package: package metallico (es.: 9 mm CD)