Diodo laser pulsato PVGS2S06H
a nanosecondiad impulsi cortia stato solido

Diodo laser pulsato - PVGS2S06H - Excelitas Technologies - PCO - a nanosecondi / ad impulsi corti / a stato solido
Diodo laser pulsato - PVGS2S06H - Excelitas Technologies - PCO - a nanosecondi / ad impulsi corti / a stato solido
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Caratteristiche

Modo di funzionamento
pulsato, ad impulsi corti, a nanosecondi
Tecnologia
a stato solido
Spettro
infrarosso, NIR, ad infrarossi vicini
Applicazioni
di misura, per misurazione della distanza, per telemetria, LIDAR
Altre caratteristicfhe
sicurezza oculare, ad alta potenza, doppio, a semiconduttore, a diodo
Potenza

Min.: 24 W

Max.: 50 W

Lunghezza d'onda

1.550 nm

Descrizione

Panoramica
Il PVGS2S06H è un diodo laser pulsato da 1550 nm in package metallico, dotato di un chip a singola cavità con doppio stack e larghezza della striscia di 150 µm. È disponibile in diverse opzioni di package (incluso TO‑52) ed è progettato per prestazioni con elevata potenza di picco in impulso.

Tecnologia e prestazioni
Il dispositivo è una eterostruttura doppia cresciuta mediante MOCVD, centrata a 1550 nm per sfruttare livelli di emissione ammessi più elevati e un funzionamento sicuro per l'occhio. Con un'adeguata integrazione e configurazione, è possibile ottenere funzionamento in Classe 1 a livelli di potenza relativamente alti. L'architettura è ottimizzata per operazioni a impulsi ad alta potenza di picco.

Caratteristiche principali
  • Dispositivo in package metallico (opzioni TO‑52)
  • Chip a singola cavità, doppio stack
  • Larghezza della striscia: 150 µm
  • Progettato per impulsi brevi ad alta potenza di picco

Applicazioni / Note
Offerto in vari package per soddisfare i requisiti di integrazione di sistema. Le configurazioni impilate consentono di aumentare la potenza di picco per applicazioni quali telemetria, LIDAR, comunicazioni ottiche in spazio libero e sistemi di test/ misura che richiedono impulsi brevi ad alta energia.

Specifiche tecniche
  • Lunghezza d'onda centrale: 1550 nm
  • Architettura del chip: singola cavità, doppio stack
  • Larghezza della striscia: 150 µm
  • Esempio testato: 24 W a 20 A con impulso di 150 ns
  • Elevata potenza di picco pulsata: fino a 50 W
  • Potenze di picco standard offerte nella famiglia PVG: 7 W, 14 W e 58 W (valori della famiglia di prodotto)
  • Struttura: pozzetto quantico
  • Produzione: eterostruttura doppia cresciuta con MOCVD

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electronica Munich 2026
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10-13 nov 2026 Munich (Germania) Hall B4 - Stand 302

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