Macchina di crescita cristallina

Il forno per crescita di cristalli di carburo di silicio è un sistema a riscaldamento a induzione progettato per coltivare monocristalli di carburo di silicio tramite il metodo di deposizione fisica da vapore (PVD) in un ambiente inerte (argon). Integra l'hardware del forno, la gestione del vuoto e dei gas, il riscaldamento a induzione e il controllo automatico informatizzato per operazioni di crescita stabili e ripetibili con registrazione automatica dei processi.

Panoramica del prodotto:

• Assiemi principali: componenti della camera del forno, componenti superiori della camera del forno, meccanismo di supporto del campione, componenti di trasmissione della finestra di misura della temperatura, sistema di acquisizione e misura del vuoto, sistema gas, sistema acqua, sistema di riscaldamento a induzione, sistema di controllo automatico.

Struttura della camera a vuoto:

• Camera di crescita: struttura a tubo di quarzo con flange di tenuta superiore e inferiore in acciaio inossidabile 316L, trattamento superficiale speciale; tenuta con guarnizione in fluororubber importato.

Metodo di deposizione e riscaldamento:

• Riscaldamento a induzione di un crogiolo in grafite contenente polvere di carburo di silicio; sublimazione e deposizione su un seme di carburo di silicio (metodo PVD) in atmosfera di argon.

Sistema elettrico / di controllo:

• Sistema di controllo computerizzato con display touch-screen; processo controllato da un controllore computerizzato programmabile (PCC) altamente affidabile che consente controllo completamente automatico e registrazione delle informazioni di processo.

Note aggiuntive:

• La struttura e il funzionamento dell'apparecchiatura sono progettati per la stabilità e includono molteplici dispositivi di protezione della sicurezza; il controllo del flusso di massa e della temperatura è preciso.

Caratteristiche tecniche:

• Diametro interno della cavità in quarzo: 400 mm.
• Altezza della cavità in quarzo: 1100 mm.
• Diametro del cristallo coltivato: in grado di coltivare 6 pollici.
• Grado di vuoto ultimo (a freddo, forno vuoto): ≤ 6.6E-5 Pa.
• Tasso di rilevamento perdite del vuoto del sistema (cavità in quarzo): ≤ 5.0×10-7 Pa·L/s.
• Indice di mantenimento della pressione a 12 ore (forno vuoto, a freddo): ≤ 5 Pa.
• Dimensione campione / riferimento temperatura: 6 pollici (dimensione seme/cristallo supportata).
• Area di installazione raccomandata: superiore a 12 m²; altezza minima sito: 4,5 m.
• Controllo del processo: controllore computerizzato programmabile (PCC) con display touch-screen e controllo automatico della crescita dei cristalli (automazione completa e registrazione dati).