Macchina di deposizione per polverizzazione catodica a magnetron DXJ-560S

per metallizzazione

Panoramica

Il sistema di sputtering magnetron a doppia camera piriforme DXJ-560S è una piattaforma compatta per R&D e produzione in piccoli lotti di film sottili: monostrati e multilayer funzionali a scala nanometrica, rivestimenti duri, film metallici, semiconduttori e dielettrici. Il sistema integra una camera di sputtering piriforme, più obiettivi magnetron, un porta‑substrati rotante raffreddato ad acqua, camera di carico campioni, forno di ricottura e sottosistemi completi di vuoto, gas e controllo elettronico.

Composizione

• Camera principale di sputtering piriforme
• Target magnetron permanenti (5 target, Ø60 mm)
• Porta‑substrati rotante raffreddato ad acqua (piastra rotante), 6 stazioni
• Camera di iniezione/carico campioni e moduli camera campioni
• Forno di ricottura integrato
• Modulo target di backwash
• Dispositivo magnetico per il trasferimento dei campioni
• Circuito gas di processo con mass flow controller
• Sistema di pompaggio (pompe molecolari e meccaniche)
• Armadio/i di installazione/controllo
• Sistema di misura del vuoto e controllo elettronico con interfaccia computer

Specifiche tecniche

• Modello: DXJ-560S
• Camera principale: Camera piriforme Ø560 × 350 mm
• Camera di iniezione: Cilindrica orizzontale Ø250 × 420 mm
• Configurazione vuoto: Unità di pompe molecolari e pompe meccaniche indipendenti per camera principale e camera campioni
• Pressione ultima (dopo bake e degassificazione): Camera principale 6.67×10^-6 Pa; Camera campioni ≤6.67×10^-4 Pa
• Tempo di recupero del vuoto (dopo breve esposizione all’aria e purge secco): Camera principale a 6.6×10^-4 Pa in ~40 min; Camera campioni a 6.6×10^-3 Pa in ~40 min
• Target magnetron: Cinque target permanenti Ø60 mm (uno adatto a materiali magnetici); compatibile RF e DC; distanza target‑substrato regolabile 40–80 mm
• Porta‑substrati: 6 stazioni (una stazione per il modulo riscaldante), accetta substrati Ø30 mm fino a 6 pezzi
• Movimento: Rotazione 0–360° avanti/indietro
• Riscaldamento substrato (porta): Max 600 ℃ ±1 ℃
• Bias negativo substrato: −200 V
• Circuito gas: Mass flow controller, 2 canali
• Moduli camera campioni: Carico campioni (6 campioni per carico), forno di ricottura (temp. max substrato 800 ℃ ±1 ℃), modulo backwash
• Trasferimento magnetico: Permette il trasferimento tra camera di sputtering e camera campioni
• Controllo computerizzato: Controlla rotazione campione, paratie e conferma posizione target
• Ingombro richiesto: Mainframe 2600 × 900 mm²
• Armadi elettrici: 700 × 700 mm² (2 unità)

Applicazioni

• R&D in laboratorio per film sottili e rivestimenti multilayer
• Prototipazione e produzione in piccoli lotti di rivestimenti ottici, elettronici, semiconduttori e protettivi
• Deposizione di film duri, film metallici, strati dielettrici e film magnetici

Opzioni e servizi

• Modalità RF/DC e configurazioni target personalizzabili
• Adattamento a diverse dimensioni di substrato o fissaggi su richiesta
• Aggiornamenti opzionali per vuoto, pompe e pacchetto gas
• Installazione, messa in servizio e formazione operatori disponibili

Controllo e ingombro

• Controllo computerizzato integrato per la ripetibilità dei processi
• Monitoraggio di vuoto, flussi gas e temperatura substrato
• Ingombro compatto adatto ad ambienti di laboratorio; mainframe 2600 × 900 mm²