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Macchina di deposizione per polverizzazione catodica a magnetron DXJ-450D
per metallizzazione

Macchina di deposizione per polverizzazione catodica a magnetron - DXJ-450D - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - per metallizzazione
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Caratteristiche

Specificazioni
a magnetron
Applicazioni
per metallizzazione

Descrizione

Il sistema di sputtering magnetron a camera singola DXJ-450D è progettato per la ricerca e la produzione in piccoli lotti di materiali film sottili avanzati a scala nanometrica, mono- e multilayer, inclusi film duri, metallici, semiconduttori e dielettrici; adatto ad università e istituti di ricerca.

Composizione
  • Il sistema è composto principalmente da camera di sputtering a vuoto, bersagli magnetron, piastra riscaldata per substrato raffreddata ad acqua, circuito gas di lavoro, sistema di pompaggio, misura del vuoto, sistema di controllo elettronico e armadio di installazione.


Indice tecnico
  • Modello: DXJ-450D
  • Dimensioni camera a vuoto: camera cilindrica Ø450 × 350 mm
  • Configurazione sistema di vuoto: pompa molecolare composta, pompa meccanica, valvola a slitta
  • Pressione finale: ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (dopo bake e degassamento)
  • Tempo di recupero del vuoto: raggiunge 6.6×10⁻⁴ Pa in 40 min (dopo breve esposizione all'aria e spurgo con cloro secco prima dello svuotamento)
  • Bersagli magnetron permanenti: tre bersagli permanenti, Ø60 mm (uno può sputterizzare materiale magnetico); compatibili RF e DC; i tre bersagli possono inclinarsi sopra il centro del campione; distanza bersaglio‑campione regolabile 90–110 mm (sputtering verso l'alto 40–80 mm)
  • Sistema substrato: piastra riscaldata per substrato singolo raffreddata ad acqua con riscaldamento e raffreddamento indipendenti; forno riscaldante rimovibile per installare la piastra raffreddata
  • Dimensione campione: Ø30 mm
  • Modalità di movimento: il substrato può ruotare continuamente; velocità di rotazione 5–10 rpm
  • Riscaldamento: temperatura massima substrato 600°C ±1°C
  • Bias negativo substrato: -200 V
  • Circuito gas: controller di portata massica, 2 canali
  • Controllo computerizzato: controlla la rotazione del campione, commutazione deflettori, conferma posizione dei bersagli, ecc.
  • Accessori opzionali: piastra rotante a 6 stazioni (sostituisce la piastra singola riscaldata/raffreddata rimovibile; supporta sei substrati Ø30 mm; una stazione per il forno; le altre per raffreddamento ad acqua o naturale; temp. max substrato 600°C ±1°C)
  • Ingombro — unità principale: 1300 × 800 mm²
  • Ingombro — quadro di controllo elettrico: 700 × 700 mm² (2 set)


Specifiche tecniche
  • Uso previsto: preparazione di film funzionali mono-/multistrato a scala nanometrica (duro, metallico, semiconduttore, dielettrico)
  • Modello: DXJ-450D
  • Dimensioni esterne camera: Ø450 × 350 mm
  • Vuoto finale: ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (post-bake)
  • Pompaggio standard: pompa molecolare composta + pompa meccanica con valvola a slitta
  • Bersagli: tre bersagli magnetron permanenti Ø60 mm, compatibili RF e DC
  • Gestione substrato: piastra riscaldata rimovibile raffreddata ad acqua; campione Ø30 mm; rotazione 5–10 rpm; riscaldamento fino a 600°C ±1°C; bias negativo -200 V
  • Controllo gas: controller di portata massica a 2 canali
  • Controllo: controllo computerizzato per rotazione, commutazione deflettori e posizionamento bersagli
  • Ingombro: unità principale 1300 × 800 mm²; quadri di controllo 700 × 700 mm² (due set)

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