Sistema MBE MBE DXLMBE-450

Il DXLMBE-450 è un sistema di epitassia a fascio molecolare laser (MBE) a scala di laboratorio, progettato per lo sviluppo e la preparazione in piccola serie di materiali a film sottile complessi (cristalli ottici, ferroelettrici, ferromagnetici, superconduttori e film organici). Supporta la crescita di architetture multicapa e superreticoli con fonti multi-elemento, ad alto punto di fusione o contenenti gas, con controllo preciso di composizione e processo.

Composizione

• Camera a vuoto principale (camera di epitassia e camera di inserimento campione)
• Meccanismo di inserimento campione e sistema di trasferimento
• Portacampione con assemblato di riscaldamento e rotazione del substrato
• Piattaforma target rotante (multi-target, cambio target tramite rotazione)
• Sistemi di pompaggio e misura del vuoto
• Apparecchiature elettriche, distribuzione e controllo computerizzato

Applicazioni / Riepilogo
Progettato per la ricerca scientifica e la produzione in piccola serie in università e istituti di ricerca, il DXLMBE-450 è adatto alla crescita di film multicapa complessi e superreticoli che richiedono fonti multi-elemento, ad alto punto di fusione o contenenti gas e un controllo accurato del processo.

Specifiche tecniche

• Modello: DXLMBE-450
• Camera a vuoto principale: sferica, Ø450 mm
• Camera di inserimento campione: cilindrica, orizzontale, Ø150 × 300 mm
• Configurazione sistema vuoto: Camera principale — pompa meccanica, pompa molecolare, pompa ionica, pompa di sublimazione, valvole; Camera inserimento — pompa meccanica, pompa molecolare, valvola
• Pressione ultima: Camera principale ≤ 5 × 10⁻⁸ Pa (dopo bake e degassificazione); Camera inserimento ≤ 5 × 10⁻³ Pa (dopo bake e degassificazione)
• Tempo di recupero del vuoto (a 5 × 10⁻³ Pa): Camere principale e di inserimento — ≈20 min dopo breve esposizione all'aria (con purga secca prima dello svuotamento)
• Piattaforma target rotante: dimensione massima target Ø70 mm; fino a 4 target; supporta rotazione e rivoluzione individuali; velocità 5–60 rpm
• Piastra di riscaldamento substrato: diametro campione Ø51 mm; rotazione continua 5–60 rpm; temperatura massima substrato 800 °C ± 1 °C
• Circuito gas: controllore di portata massica 1 canale; valvola angolare tutto metallo 1 canale
• Opzionali: sistema RHEED (max 25 kV, max 100 μA) con monitoraggio delle oscillazioni di intensità/tasso di crescita (camera, hardware e software)
• Scansione fascio laser: stadio meccanico di scansione 2D
• Generatore di plasma di ossigeno e alimentazione: opzionale
• Controllo computerizzato: automazione di rivoluzione/rotazione target, rotazione campione, controllo temperatura, scansione laser e funzioni correlate
• Spectrometro di massa a quadrupolo: intervallo masse 1–100
• Ingombro a pavimento: Unit principale 1300 × 850 mm²; armadio di controllo elettrico 700 × 700 mm² (2 unità)