Il sistema per la crescita di film a singolo strato atomico (DXALD) è un'apparecchiatura di deposizione a strati atomici (ALD) progettata per la crescita di film sottili precisa e controllabile di metalli, ossidi, carburi e vari materiali semiconduttori o superconduttori, destinata alla ricerca e all'insegnamento in università e istituti scientifici.
Il sistema offre parametri di prova flessibili, funzionamento affidabile e un'interfaccia uomo‑macchina di facile utilizzo per soddisfare i requisiti complessi di rivestimento in ambienti di ricerca e didattici.
DXALD è principalmente utilizzato per film dielettrici come ossidi conduttivi trasparenti e Al2O3; ZnO è indicato come materiale di deposizione rappresentativo.
Indice tecnico
Vacuo finale: 5 Pa
Tasso di perdita totale: < 10^-8 Pa·L/s
Camera a vuoto:
Cavità a vuoto: cavità a vuoto
Materiale / struttura della camera: acciaio inossidabile saldato ad arco di argon con copertura superiore rimovibile
Porta di scarico inferiore: collegare alla pompa a secco per vuoto
Riscaldatore del substrato: sistema di riscaldamento esterno, intervallo di temperatura da temperatura ambiente a 500 °C, continuo e regolabile
Dimensione del substrato: Ø 50–100 mm
Uniformità dello spessore: per film ZnO Ø 100 mm, uniformità dello spessore < ±1%
Trasporto gas ALD / circuiti gas:
Circuito sorgente liquida: personalizzato
Circuito sorgente gassosa: personalizzato
Sistema di scarico del vuoto:
Pompa a vuoto a secco senza olio bilaterale: 1 set
Rete di tubazioni per vuoto: 1 set
Monitor del vuoto: manometro Pirani — campo di misura: 1,0×10^-5 Pa a 1×10^-2 Pa
Raccolta dati e HMI: 1 set
Sistema di controllo computerizzato / alimentazioni e comandi:
Alimentazione riscaldamento campione: 1 set
Valvola di scambio magnetica: 1 set
Alimentazione controllo principale: 1 set
Struttura di installazione: acciaio saldato, maschera a rilascio rapido; ruote con possibilità di fissaggio e spostamento
Dimensioni dell'apparecchiatura (L×W×H): 600 × 600 × 1200 mm
Caratteristiche / specifiche tecniche
Serie modello: DXALD (Single Atomic Layer Film Growing Equipment)
Capacità di vuoto finale: 5 Pa
Tasso di perdita: < 10^-8 Pa·L/s
Dimensione del substrato supportata: Ø 50–100 mm
Intervallo riscaldatore substrato: temperatura ambiente a 500 °C (continuo, regolabile)
Scarico del vuoto: pompa a secco senza olio (1 set)
Ingombro tipico: 600 × 600 × 1200 mm
Esempio di film target e uniformità: ZnO su Ø 100 mm, uniformità di spessore < ±1%
Cataloghi
Nessun catalogo è disponibile per questo prodotto.
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.