L'apparecchiatura per preparazione continua di celle solari a film sottile CIGS è utilizzata per lo sviluppo e la preparazione su piccola scala di celle solari a film sottile a base di rame, indio, gallio e selenio.
Composizione- Camera di evaporazione/deposito per rame, indio, gallio e selenio
- Camera di sputtering per molibdeno
- Camera di sputtering per rame/indio/gallio
- Camera di sputtering ZnO
- Camera di foto-incisione laser
- Camera buffer per fabbricazione/processing elettrochimico
- Camera di inserimento campioni (apertura/chiusura manuale)
- Camera di consegna campioni e deposito/dispositivo per campioni
- Forno sorgente del fascio
- Target a controllo magnetico e meccanismo magnetico di trasferimento dei campioni
- Unità di riscaldamento dei campioni e carrello porta-campioni
- Sistema di pompe, sistema di misura del vuoto
- Sistema circuito gas e sistema di controllo elettrico
Specifiche tecniche- Pressione ultima della camera di deposizione: 6,6×10^-8 Pa
- Pressione ultima della camera di sputtering: 6,6×10^-5 Pa
- Camera di inserimento campioni: apertura/chiusura manuale; capacità: fino a 6 campioni
- Substrato campione: vetro; dimensione tipica: 100 × 100 × 3 mm
- Capacità campioni della camera di sputtering: 1 campione
- Gestione dei campioni: i substrati possono essere riscaldati e trasferiti manualmente a ciascuna stazione correlata in stato di vuoto